基于IBC太阳电池的二氧化硅掩膜研究 |
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引用本文: | 李力,姜辰明,黄铭,沈辉.基于IBC太阳电池的二氧化硅掩膜研究[J].中山大学学报(自然科学版),2014(5):29-31,38. |
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作者姓名: | 李力 姜辰明 黄铭 沈辉 |
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作者单位: | 中山大学太阳能系统研究所 |
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基金项目: | 粤港关键领域重点突破资助项目(2011Z3) |
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摘 要: | 在叉指状背接触太阳电池(IBC电池)的制作过程中,一种办法是以二氧化硅作为掩膜阻挡磷扩散进入已经扩硼的区域,在有二氧化硅保护的区域,p+区保持不变,在没有二氧化硅保护的地方磷扩散进入形成n+背表面场,从而实现在不同区域的不同扩散。该文是研究在不同的的温度下热氧化得到的二氧化硅氧化层的厚度,厚度从0 nm到124 nm,然后通过测量磷扩散前后方阻变化和ECV图像,研究不同厚度下的二氧化硅掩膜对磷扩散的阻挡作用。同时,还测量了在不同情况下硅片的少子寿命,以确定一个最佳的热氧化二氧化硅工艺,为IBC电池工艺的后续研究提供参考。
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关 键 词: | IBC太阳电池 二氧化硅掩膜 方阻 少子寿命 ECV |
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