MOS结构的雪崩热电子界面效应

本文研究了电子束蒸铝MOS结构的热电子雪崩注入的界面效应。硅表面雪崩产生的热电子注入到SiO_2—Si界面,可能产生界面态和界面正电荷,并使Si表面少数载流子寿命减低,致使△V_(FB)—t关系发生倒N形迥转效应。文中还研究了温度和注入电流密度等对热电子界面效应的影响;选择合适的雪崩注入条件,可降低界面效应。