| 晶格匹配型单量子阱GaAs/AI_xGa_(1-x)As半导体电极的光电化学行为 |
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| 引用本文： | 刘尧.晶格匹配型单量子阱GaAs/AI_xGa_(1-x)As半导体电极的光电化学行为[J].科学通报,1994,39(16):1493-1493. |
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| 作者姓名： | 刘尧 |
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| 作者单位： | 中国科学院感光化学研究所 北京100101
(刘尧，肖绪瑞，李学萍)，中国科学院半导体研究所 北京100083
(阎春辉，曾一平，孙殿照，郑海群)，中国科学院半导体研究所 北京100083(国红熙) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 近年来,在半导体光电化学领域中,半导体超晶格(量子阱)材料作为一种新型的光电极的研究已引起人们广泛的注意和重视.由于半导体超晶格(量子阱)能带的量子化,因此具有许多完全不同于体材料的新特性,如其量子阱中的激子受到阱宽的限制不仅寿命长于相应的体材料,而且有较强的光吸收性能;量子阱中光生热载流子的能量驰豫明显慢于体材料,具有较长的热载流子寿命,大大增强了热载流子效应以及其载流子迁移率大于体材料等.这些特性都有利于提高光能的转换效率.本文研究了晶格匹配型单量子阱GaAs/Al_xGa_(1-x)As电极
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| 关 键 词： | 超晶格(量子阱) 单量子肼 光电流谱 光电压谱 |
| 收稿时间： | 1993-07-19 |
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