| VDMOS器件微观结构研究 |
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| 引用本文： | 徐丹,殷景华,王鑫宇.VDMOS器件微观结构研究[J].应用科技,2007,34(11):60-62. |
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| 作者姓名： | 徐丹 殷景华 王鑫宇 |
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| 作者单位： | 哈尔滨理工大学,应用科学学院,黑龙江,哈尔滨,150080 |
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| 摘 要： | 随着VDMOS器件的广泛应用及其制作工艺的发展进步，对提高VDMOS器件性能的研究也日益受到重视．通过利用扫描电子显微镜（SEM）技术，对VDMOS器件的纵向结构元素分布及其在硅腐蚀液腐蚀前后的微观结构变化进行了研究．SEM图像分析表明各元素分布区域界限明显，经过浓度配比为w（HF）：w（HNO：）：W（HAC）：1：10：7的硅腐蚀液腐蚀后的样品断面的微观结构清晰．
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| 关 键 词： | 元素分布 微观结构 |
| 文章编号： | 1009-671X（2007）11-0060-03 |
| 修稿时间： | 2007-06-16 |
Research on microstructure of VDMOS |
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| XU Dan,YIN Jing-hua,WANG Xin-yu.Research on microstructure of VDMOS[J].Applied Science and Technology,2007,34(11):60-62. |
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| Authors: | XU Dan YIN Jing-hua WANG Xin-yu |
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| Institution: | College of Applied Science , Harbin University of Science and Technology, Harbin 150080, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | VDMOS SEM |
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