| 碳化硅薄膜生长技术的研究进展 |
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| 引用本文： | 李亚平,安霞,薛成山.碳化硅薄膜生长技术的研究进展[J].山东师范大学学报(自然科学版),2004,19(2):37-40. |
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| 作者姓名： | 李亚平 安霞 薛成山 |
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| 作者单位： | 1. 山东商业职业技术学院计算机与电子技术学系,250013,济南
2. 山东师范大学物理与电子科学学院,250014,济南 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 ( 90 2 0 10 2 5 ,90 3 0 10 0 2 ) |
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| 摘 要： | 介绍了国际上近年来碳化硅薄膜的研究情况，碳化硅外延生长大多采用溅射法(sputting)、化学气相淀积(CVD)和分子束外延(MBE)．对生长工艺对碳化硅薄膜特性的影响进行了对比研究．
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| 关 键 词： | 碳化硅薄膜 薄膜生长 化学气相淀积 分子束外延 溅射 半导体材料 |
DEVELOPMENT OF SYNTHESIS OF SILICON CARBIDE FILMS |
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| Li Yaping,An Xia,Xue Chengshan.DEVELOPMENT OF SYNTHESIS OF SILICON CARBIDE FILMS[J].Journal of Shandong Normal University(Natural Science),2004,19(2):37-40. |
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| Authors: | Li Yaping An Xia Xue Chengshan |
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| Institution: | Li Yaping 1) An Xia 2) Xue Chengshan 2) |
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| Abstract: | As a kind of new Semi Conductor material,silicon carbide exihibits several outstanding properties.The current status of SiC films is summarized.Methods of synthesis of SiC films include sputting,chemical vapor deposition,and molecular beam epitaxy.Influence of experiment condition on SiC films has been intensive investigated. |
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| Keywords: | SiC thin film growth CVD sputting |
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