| 用热激发电流法研究金刚石薄膜中的陷阱 |
| |
| 引用本文： | 崔聪悟 王建军. 用热激发电流法研究金刚石薄膜中的陷阱[J]. 北京科技大学学报, 1996, 18(2): 145-149 |
| |
| 作者姓名： | 崔聪悟 王建军 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院高能物理研究所同步辐射室，北京科技大学材料科学与工程系，北京科技大学物理系 |
| |
| 摘 要： | 对微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）的硅衬底金刚石薄膜，做了在液氮温区注入载流子，升温测其电流－温度关系的实验，观察到ａｓ－ｇｒｏｗｎ样品有明显的热激发电流峰，重复实验时，峰基本消失，经氢等离子体在￣９００℃处理２．５ｈ后，再重复实验，该峰又出现，推断热激发电流峰是由硅衬底金刚石薄膜内氢致陷阱中的载流子撤空引起的，这些能级在金刚石禁带中的陷阱是可以通过热处理消除的。
|
| 关 键 词： | 缺陷 热激发电流 金刚石薄膜 |
Investigation on Traps in MPCVD Diamond Films by Thermal Stimulated Current Measurements |
| |
| Cui Congwu,Wang Jianjun,Ma Xingqiao,Wu Yu. Investigation on Traps in MPCVD Diamond Films by Thermal Stimulated Current Measurements[J]. Journal of University of Science and Technology Beijing, 1996, 18(2): 145-149 |
| |
| Authors: | Cui Congwu Wang Jianjun Ma Xingqiao Wu Yu |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | diamond films defect thermal stimulated current |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
