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| GaAs异质结构材料的电化学研究 | |
| 引用本文： | 陈自姚.GaAs异质结构材料的电化学研究[J].科学通报,1982,27(2):89-89. |
| 作者姓名： | 陈自姚 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 (陈自姚，邵永富)，中国科学院上海冶金研究所(彭瑞伍) |
| 摘 要： | 一、引言目前正在发展的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件如FET,激光器和太阳电池等用的材料均要求多层、异质和p-n结等结构,而常用的C-V法和Hall法不能同时测定这类材料的载流子浓度,厚度和p-n结位置.在这方面电化学法已取得一定的成功.但异质结材料的载流子浓度分布和p-n结位置等测试尚未见报道.本文以太阳电池材料为典型例子,研究了它的电化 |
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