| 双硅源选择外延及侧向过外延的生长特性 |
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| 引用本文： | 缪国庆,刘明登.双硅源选择外延及侧向过外延的生长特性[J].吉林大学学报(理学版),1992(1). |
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| 作者姓名： | 缪国庆 刘明登 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子科学系 长春
(缪国庆)，吉林大学电子科学系 长春(刘明登) |
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| 摘 要： | 本文研究了利用双硅源进行ELO生长SOI结构的工艺条件,b值变化对多晶成核及侧向生长速率的影响,观察了ELO膜的表面形貌与温度、压力的关系,探讨了ELO膜空洞产生的原因及消除方法,获得了二氧化硅条宽为20μm的光亮、平整、连续的ELO单晶薄膜。
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| 关 键 词： | 硅 外延 侧向过生长 |
The Growth Characteristic of Double Silicon Source Selective Epitaxy and Epitaxial Lateral Overgrowth |
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| Miao Guoqing and Liu Mingdeng.The Growth Characteristic of Double Silicon Source Selective Epitaxy and Epitaxial Lateral Overgrowth[J].Journal of Jilin University: Sci Ed,1992(1). |
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| Authors: | Miao Guoqing and Liu Mingdeng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon epitaxy epitaxial lateral overgrowth |
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