| Si/SiO2和Si/SiNx /SiO2超晶格的能带结构 |
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| 作者姓名： | 魏屹 董成军 徐明 |
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| 作者单位： | ① 四川师范大学物理与电子工程学院, 固体物理研究所低维结构物理实验室, 成都 610068; ② 中国科学院国际材料物理中心, 沈阳 110016 |
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| 基金项目： | 教育部留学回国人员科研启动项目(批准号: 教外司留[2007]1108)和四川省青年科技基金(编号: 08ZQ026-025)资助项目 |
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| 摘 要： | 利用Kronig-Penney模型从理论上计算了Si/SiO2和Si/SiNx/SiO2多层膜结构中量子阱的能带结构, 进一步分析了各亚层薄膜厚度对能带结构和有效质量的影响.结果发现, 适当减少亚层的厚度都能使得纳米Si薄膜的带隙发生明显宽化. 在Si/SiO2超晶格中, Si量子阱层带隙能量随着Si层厚度的变化符合EPL(eV)=1.6+0.7/d2关系, 与我们的计算结果十分吻合. 在Si/SiNx/SiO2超晶格系统中, 可以通过控制各亚层厚度, 尤其是Si和SiNx层厚度, 均能够有效地控制发光.
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| 关 键 词： | K-P模型 超晶格 能带结构 Si层厚度 带隙宽化 量子限制效应 |
| 收稿时间： | 2009-09-06 |
| 修稿时间： | 2009-10-14 |
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