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Cu/Ni多层膜的电阻与位错
作者姓名:单凤兰
作者单位:吉林大学材料科学系
摘    要:采和电桥及X射线衍射线形分析法研究磁控溅射Cu/Ni多层膜及Ni单层厚度均为5nm)的室温电阻率平均位错密度随对层层数的变化规律。

关 键 词:多层膜 电阻率 位错密度 磁控溅射 铜/镍
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