| 溅射氧化耦合法合成W掺杂VO2纳米薄膜及其光学性质 |
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| 引用本文： | 黄海燕,徐晓峰,余远春,包飞军. 溅射氧化耦合法合成W掺杂VO2纳米薄膜及其光学性质[J]. 东华大学学报(自然科学版), 2013, 39(1): 130-134 |
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| 作者姓名： | 黄海燕 徐晓峰 余远春 包飞军 |
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| 作者单位： | 东华大学理学院,上海,201620 |
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| 摘 要： | 采用溅射氧化耦合法(SOC),在Al2O3(001)基底上成功制备了纳米尺度的W掺杂VO2薄膜.运用扫描电子显微镜(SEM)和光电子能谱仪(XPS)分别对薄膜的微观结构以及组分进行了分析;采用四探针测试仪测试了薄膜在不同温度下的方块电阻,从而确定了VO2和W掺杂VO2纳米薄膜的相变温度从341K下降到314K;最后利用紫外至红外光谱仪测试了薄膜在常温和高温下的透过率,并通过Film Wizard软件对薄膜的透过率进行拟合,获得了薄膜的光学折射率(n)和消光系数(κ)随光电子能量(E)变化的关系曲线.研究结果表明,随着W掺杂量的增加,W掺杂VO2纳米薄膜的半导体-金属相变温度逐渐下降,其光学折射率(n)和消光系数(κ)相比VO2薄膜也发生有规律的变化.
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| 关 键 词： | W掺杂VO2纳米薄膜 溅射氧化耦合 相变温度 折射率 消光系数 |
Fabrication and Optical Properties of W-doped VO2 Nano Thin Films via Sputtering Oxidation Coupling Method |
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| HUANG Hai-yan , XU Xiao-feng , YU Yuan-chun , BAO Fei-jun. Fabrication and Optical Properties of W-doped VO2 Nano Thin Films via Sputtering Oxidation Coupling Method[J]. Journal of Donghua University, 2013, 39(1): 130-134 |
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| Authors: | HUANG Hai-yan XU Xiao-feng YU Yuan-chun BAO Fei-jun |
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| Affiliation: | (College of Science, Donghua University, Shanghai 201620, China) |
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