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| 苯并[1,2-b:4,5-b′]二噻吩-thieno[3,4-b]thiadiazole导电性的理论研究 | |
| 作者姓名： | 邓理丹 苏宇 申明金 曹洪斌 |
| 作者单位： | 川北医学院化学教研室; |
| 摘 要： | 采用密度泛函理论,在B3LYP/6-31G(d)水平下,对苯并[1,2-b:4,5-b′]二噻吩(BDT)-thieno[3,4-b]thiadiazole(TD)的低聚物和聚合物进行了理论计算.其中,BDT为电子供体,TD为电子受体,以1∶2的方式结合形成化合物,并计算了二面角、分子内的电荷传输、桥键键长和中心键电荷密度.结果显示:随着聚合链增长,共轭程度增加.NICSs值显示:中心环比边环的共轭程度更大.聚合物的能带结构表明:该聚合物的带隙比较低(0.87 eV),故其可以作为潜在的导电材料. |
| 关 键 词： | 密度泛函理论 苯并[ -b -b′]二噻吩 共轭聚合物 导电材料 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |