3C-SiC电子结构和铁磁性的第一性原理研究 |
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作者姓名: | 林雪玲 潘凤春 |
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作者单位: | 宁夏大学物理电气信息学院; |
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基金项目: | 国家自然基金资助项目(11265011) |
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摘 要: | 基于第一性原理计算的方法,研究了3C-SiC中缺陷的磁学性质。结果表明,-1价和-2价的硅空位可分别引入3μB和2μB的磁矩,而中性的硅空位却不能引入自发的自旋极化。由于缺陷波函数的扩展性,-2价的硅空位间在距离0.861 6 nm时仍然是长程铁磁耦合的,但-1价的硅空位间是反铁磁耦合,因而该种缺陷对磁性没有贡献。
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关 键 词: | SiC 磁性 第一性原理 |
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