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| 3C-SiC电子结构和铁磁性的第一性原理研究 | |
| 引用本文： | 林雪玲,潘凤春.3C-SiC电子结构和铁磁性的第一性原理研究[J].山东大学学报(理学版),2014(3). |
| 作者姓名： | 林雪玲 潘凤春 |
| 作者单位： | 宁夏大学物理电气信息学院; |
| 基金项目： | 国家自然基金资助项目(11265011) |
| 摘 要： | 基于第一性原理计算的方法,研究了3C-SiC中缺陷的磁学性质。结果表明,-1价和-2价的硅空位可分别引入3μB和2μB的磁矩,而中性的硅空位却不能引入自发的自旋极化。由于缺陷波函数的扩展性,-2价的硅空位间在距离0.861 6 nm时仍然是长程铁磁耦合的,但-1价的硅空位间是反铁磁耦合,因而该种缺陷对磁性没有贡献。 |
| 关 键 词： | SiC 磁性 第一性原理 |
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