|
|||||
|
|
| 磁泡研究有新突破——在磁畴壁上读取信息 | |
| 引用本文： | 冷钧.磁泡研究有新突破——在磁畴壁上读取信息[J].吉林工学院学报,1990(1). |
| 作者姓名： | 冷钧 |
| 作者单位： | 吉林工学院基础科学系 |
| 摘 要： | 本文报告了最新重要科技信息.利用外加磁场控制布洛赫畴壁(简记BL)可产生磁化矢量复杂扭转.其中能形成一些磁化方向垂直指向膜面的小区域.称为垂直布洛赫线(或VBL).利用这些成对的布洛赫线,可以制成存储密度极高的计算机存储器,因为信息是在布洛赫线内被编码寄存的,而不是在磁泡本身内.因此,极限信息密度可达到10~(10)bit/cm~2,从布洛赫线存储器中检索信息只需要约2/1000s、而目前检索信息要10s. |
| 关 键 词： | 磁泡 布洛赫线(BL) 垂直布洛赫线(VBL) 垂直布洛赫线存储器 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |