| 溅射功率及退火处理对Ga2O3薄膜特性的影响 |
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| 引用本文： | 尹传磊,刘佳鑫,赵洋.溅射功率及退火处理对Ga2O3薄膜特性的影响[J].河南科技大学学报(自然科学版),2022,43(2):92-98. |
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| 作者姓名： | 尹传磊 刘佳鑫 赵洋 |
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| 作者单位： | 河南科技大学物理工程学院,河南 洛阳 471023;河南科技大学河南省光电储能材料与应用重点实验室,河南 洛阳 471023 |
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| 摘 要： | 采用JGP-300型超高真空磁控溅射镀膜设备在蓝宝石衬底上制备了Ga2 O3薄膜,研究了溅射功率和退火工艺对薄膜晶体结构、表面形貌和光学特性的影响.研究结果表明:当溅射功率为90 W时,Ga2 O3薄膜的(-402)衍射峰最强,薄膜结晶质量最好.退火后Ga2 O3薄膜的结晶度均有所加强.随着溅射功率的增加,Ga2 O3薄膜变得均匀致密,但溅射功率过高反而影响成膜质量.Ga2 O3薄膜吸收边在250 nm附近,在Ga2 O3可见光区域透过率可达85％以上,且在450～500 nm处接近100％.退火处理可以进一步提高薄膜的透过率.Ga2 O3薄膜的禁带宽度随溅射功率的提高而减小,分布在4.8～5.0 eV,且退火后禁带宽度整体减小.这表明退火处理使得大部分Ga2 O3转化为最稳定的 β相.
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| 关 键 词： | Ga2O3 磁控溅射 溅射功率 退火处理 |
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