纳米银无压封装互连技术 |
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引用本文: | 吴成金,谭沿松,高丽兰.纳米银无压封装互连技术[J].天津理工大学学报,2024(2):41-48. |
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作者姓名: | 吴成金 谭沿松 高丽兰 |
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作者单位: | 1. 天津理工大学天津市先进机电系统设计与智能控制重点实验室;2. 天津理工大学机电工程国家级实验教学示范中心;3. 凯尔测控试验系统(天津)有限公司 |
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基金项目: | 国家自然青年科学基金(52105158); |
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摘 要: | 纳米银无压烧结技术作为一种新型封装互连技术,凭借烧结银层的优异性能,逐步在第三代半导体器件的封装互连领域应用和推广。目前,无压烧结银技术只适用于芯片级别小面积互连领域,在基板级别大面积互连领域存在若干瓶颈,有待深入研究。文章详细介绍了现有的小面积无压烧结纳米银互连工艺以及可靠性,在此基础上,针对大面积无压烧结银工艺所面临的瓶颈,引入一种双层印刷焊膏(双印法)的低温无压烧结工艺。采用超声扫描成像技术对烧结质量进行表征,获得双印法中使用的两层银焊膏的成分优化配比并对其烧结机理进行分析,为纳米银基板级大面积无压烧结互连提供一种可行方案。最后,展望了基板级别大面积无压烧结银工艺的发展趋势和应用前景。
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关 键 词: | 电子封装 纳米银 无压烧结 芯片级别 基板级别 |
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