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| 慢正电子技术研究ZrO2(Y2O3)薄膜的温度效应 | |
| 引用本文： | 邹柳娟,夏风,翁惠民,邹道文. 慢正电子技术研究ZrO2(Y2O3)薄膜的温度效应[J]. 华中科技大学学报(自然科学版), 2000, 28(3) |
| 作者姓名： | 邹柳娟 夏风 翁惠民 邹道文 |
| 作者单位： | 1. 华中理工大学,物理系 2. 华中理工大学,材料科学与工程系 3. 中国科学技术大学,近代物理系 4. 江西师范大学,物理系 |
| 摘 要： | 用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压 ,纯 Ar气氛 ,基片分别为加热 3 0 0℃和不加热的情况下制备的 No.2系列和 No.7系列的用 Y2 O3稳定的 Zr O2 薄膜 (简称 YSZ膜 ) .研究发现 :YSZ膜心部区 S参数随退火温度升高而降低 ;YSZ膜的过渡区宽度随退火温度升高而变窄 ;基片加热 ,有助于获得稳定、均匀、致密的薄膜组织 |
| 关 键 词： | ZrO2(Y2O3)薄膜 慢正电子技术 退火温度 缺陷浓度 |
A Study of the Temperature Effect of ZrO2(Y2O3) Thin Film by Slow Positrons Beam |
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| Zou Liujuan,Xia Feng,Weng Huimin,Zou Daowen. A Study of the Temperature Effect of ZrO2(Y2O3) Thin Film by Slow Positrons Beam[J]. JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE, 2000, 28(3) | |
| Authors: | Zou Liujuan Xia Feng Weng Huimin Zou Daowen |
| Affiliation: | Zou Liujuan Xia Feng Weng Huimin Zou Daowen |
| Abstract: | |
| Keywords: | ZrO 2(Y 2O 3) thin film slow positron technology the temperature of annealing density of defects |
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