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| eγ对撞的单顶夸克产生与Technicolor模型的检验 | |
| 作者姓名： | 王学雷 |
| 作者单位： | 河南师范大学物理与信息工程学院，河南新乡，453002 |
| 摘 要： | 我们知道 ,标准模型预言的 Higgs粒子自今还未发现 ,电弱对称性破缺机制还不清楚。对这一问题的研究是当前高能物理的重要研究课题之一。 Technicolor(TC)模型不含基本的标量场 ,是解决上述问题的重要候选者。 Top夸克的质量为 1 74Ge V ,这一质量接近电弱破缺标度 2 4 6Ge V,因此 top夸克的产生过程应对电弱对称性破缺机制比较敏感 ,对这些过程的研究有助于我们搞清电弱对称破缺机制问题。人们可以通过高能对撞产生 top夸克这一过程来检验新物理模型。目前比较流行的几种 TC模型为 :改进的一代TC模型 (Appelquist- Terning模型 )和 … |
| 文章编号： | 1000-2367(2001)01-0125-01 |
| 修稿时间： | 2000-12-30 |
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