| 硅扩展电阻式温度传感器阻温特性的研究 |
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| 引用本文： | 郑学仁,刘百勇.硅扩展电阻式温度传感器阻温特性的研究[J].华南理工大学学报(自然科学版),1995,23(12):23-30. |
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| 作者姓名： | 郑学仁 刘百勇 |
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| 作者单位： | 华南理工大学应用物理系，华南理工大学应用物理系 |
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| 摘 要： | 阐述了一种结构特点的硅扩展工元件的温度敏感原理，提出了物理模型?探讨了其工作温区拓宽机理。对器件的结构、材料、工艺参数对阻温特性的影响进行了计算机模拟分析及实验研究。理论分析和实验结果表明：传感器０－３００℃范围内具有正温度系数特性其阻温系数为０．７３％℃。要拓宽硅扩展电阻传感器ＰＴＣ特性区的工作温度范围，必须尽可能减少扩散接触区的体积和晶体的体积?尽可能提高硅掺杂浓度和晶体中载流子寿命，并适当提
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| 关 键 词： | 扩展电阻 温度传感器 硅 阻温特性 |
RESEARCH OF R-T CHARACTERISTICS OF SILICON SPREADING RESISTANCE TEMPERATURE SENSOR |
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| Zheng Xueren, Liu Baiyong, Li Bing, Yang Binliang, Chen Dounan.RESEARCH OF R-T CHARACTERISTICS OF SILICON SPREADING RESISTANCE TEMPERATURE SENSOR[J].Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition),1995,23(12):23-30. |
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| Authors: | Zheng Xueren Liu Baiyong Li Bing Yang Binliang Chen Dounan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | spreading resistance temperature sensor silicon Planner technology |
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