| 一种新型双材料双栅的MOSFET器件的性能研究 |
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| 引用本文： | 曾庆王,许会芳. 一种新型双材料双栅的MOSFET器件的性能研究[J]. 安徽理工大学学报(自然科学版), 2021, 41(6): 61-66. DOI: 10.3969/j.issn.1672-1098.2021.06.011 |
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| 作者姓名： | 曾庆王 许会芳 |
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| 作者单位： | 格里菲斯大学工程与建筑环境学院,澳大利亚昆士兰州布里斯班4111;安徽科技学院电气与电子工程学院,安徽滁州233100 |
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| 摘 要： | 为了给新型场效应晶体管的工艺制造和设计提供新的设计思路和依据,文章以金属-氧化物-半导体场效晶体管(MOSFET)为研究对象,提出了一种新型双材料双栅MOSFET器件的设计方案.该器件采用具有宽禁带、高饱和电子速度、高热导性、高温工作等性能优势而在微电子领域和光电子领域广泛应用的新型半导体材料GaN.同时,通过仿真模拟...
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| 关 键 词： | 双材料双栅 GaN MOSFET 特性分析 |
Research on the Performance of a Novel Dual Material Double Gate MOSFET |
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| ZENG Qingwang,XU Huifang. Research on the Performance of a Novel Dual Material Double Gate MOSFET[J]. Journal of Anhui University of Science and Technology:Natural Science, 2021, 41(6): 61-66. DOI: 10.3969/j.issn.1672-1098.2021.06.011 |
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| Authors: | ZENG Qingwang XU Huifang |
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