| 一种低温漂高电源电压抑制比带隙基准电压源设计 |
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| 引用本文： | 谢海情,王振宇,曾健平,陆俊霖,曹武,陈振华,崔凯月.一种低温漂高电源电压抑制比带隙基准电压源设计[J].湖南大学学报(自然科学版),2021,48(8):119-124. |
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| 作者姓名： | 谢海情 王振宇 曾健平 陆俊霖 曹武 陈振华 崔凯月 |
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| 作者单位： | 长沙理工大学 物理与电子科学学院,湖南 长沙410114;长沙理工大学柔性电子材料基因工程湖南省重点实验室,湖南 长沙410114;湖南大学 物理与微电子科学学院,湖南 长沙410082 |
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| 摘 要： | 通过将具有高阶温度项的MOS管亚阈值区漏电流转换为电压,并与一阶温度补偿电压进行加权叠加,实现二阶温度补偿.采用高增益的运放和负反馈回路提高电源抑制能力,设计一种低温漂高电源电压抑制比带隙基准电压源.基于0.18μm CMOS工艺,完成电路设计与仿真、版图设计与后仿真.结果表明,在1.8 V的电源电压下,电路输出电压为1.22 V;在温度变化为-40～110℃时,温度系数为3.3 ppm/℃;低频电源电压抑制比为-96 dB@100 Hz;静态电流仅为33μA.
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| 关 键 词： | 带隙基准 温度系数 电源电压抑制比 温度补偿 |
Design of Bandgap Voltage Reference
with Low Temperature Drift and High PSRR |
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| XIE Haiqing,WANG Zhenyu,ZENG Jianping,LU Junlin,CAO Wu,CHEN Zhenhu,CUI Kaiyue.Design of Bandgap Voltage Reference
with Low Temperature Drift and High PSRR[J].Journal of Hunan University(Naturnal Science),2021,48(8):119-124. |
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| Authors: | XIE Haiqing WANG Zhenyu ZENG Jianping LU Junlin CAO Wu CHEN Zhenhu CUI Kaiyue |
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