| 利用SiCl4/Ar/H2气体ICP干法刻蚀GaAs材料 |
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| 引用本文： | 吕晓敏,邱伟彬,王加贤. 利用SiCl4/Ar/H2气体ICP干法刻蚀GaAs材料[J]. 华侨大学学报(自然科学版), 2013, 0(2): 139-142 |
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| 作者姓名： | 吕晓敏 邱伟彬 王加贤 |
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| 作者单位： | 华侨大学信息科学与工程学院 |
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| 基金项目： | 福建省自然科学基金资助项目(2012J1277);华侨大学高层次人才启动基金资助项目(07170406) |
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| 摘 要： | 利用SiCl4/Ar/H2气体的电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀GaAs材料,研究反应气体流量、样品室压力、源功率RF1和RF2等参数对刻蚀速率的影响.结果表明:在反应气体SiCl4,Ar和H2的流量分别为2,4,1mL.min-1,样品室压力为0.400Pa,RF1和RF2的功率分别为120,500 W的最佳优化参数下,得到的刻蚀速率为486nm.min-1,且同时满足垂直而光滑的台面.利用该优化后的配方刻蚀GaAs衬底10min后,得到大面积的光滑表面,其粗糙度为0.20nm.
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| 关 键 词： | GaAs 干法刻蚀 电感耦合等离子体 SiCl4 光滑表面 |
ICP Dry Etching GaAs Materials by Using SiCl4/Ar/H2 Gases |
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| LYU Xiao-min,QIU Wei-bin,WANG Jia-xian. ICP Dry Etching GaAs Materials by Using SiCl4/Ar/H2 Gases[J]. Journal of Huaqiao University(Natural Science), 2013, 0(2): 139-142 |
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| Authors: | LYU Xiao-min QIU Wei-bin WANG Jia-xian |
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| Affiliation: | (College of Information Science and Engineering,Huaqiao University,Xiamen 361021,China) |
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