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| 用光电导衰退法测量锗中少数載流子的壽命 | |
| 作者单位： | 半导体教研组 |
| 摘 要： | 引言半导体材料中少数载流子~(**)的寿命是一个非常重要的参数,它标志着半导体材料的性能及品格的完整性,而且在半导体器件特別是晶体管的制造时,半导体材料中少子寿命的大小对晶体管的性能有重大的影响。因此半导体材料中少子寿命的测量 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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