| 后处理对近空间升华法制备CdS薄膜性能影响研究 |
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| 引用本文： | 曾广根,黎兵,郑家贵,蔡亚平,张静全,武莉莉,李卫,冯良桓.后处理对近空间升华法制备CdS薄膜性能影响研究[J].四川大学学报(自然科学版),2011,48(5):1149-1152. |
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| 作者姓名： | 曾广根 黎兵 郑家贵 蔡亚平 张静全 武莉莉 李卫 冯良桓 |
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| 作者单位： | 四川大学材料科学与工程学院,成都,610065 |
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| 基金项目： | 国家高技术发展计划（2003AA513010）;四川大学青年科学基金（2008003） |
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| 摘 要： | 将近空间升华法（CSS）沉积所得的CdS薄膜进行退火处理，利用XRD、SEM、暗电导温度关系研究不同退火条件对CdS多晶薄膜性能的影响.结果表明退火后CdS多晶薄膜在（002）面上具有择优取向；退火促使再结晶并促进晶粒长大；暗电导(darkσ)随退火温度增加而增加，暗电导激活能(Ea)随退火温度的增加而减少.最后得到较优化的退火条件,获得适合作为CdTe太阳电池窗口层的CdS薄膜.
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| 关 键 词： | CdS薄膜 近空间升华 退火 |
Influence of annealing on the properties of CdS polycrystalline thin films deposited by close-spaced subimation |
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| ZENG Guang-Gen,LI Bing,ZHENG Jia-Gui,CAI Ya-Ping,ZHANG Jing-Quan,WU Li-Li,LI Wei,FENG Liang-Huan.Influence of annealing on the properties of CdS polycrystalline thin films deposited by close-spaced subimation[J].Journal of Sichuan University (Natural Science Edition),2011,48(5):1149-1152. |
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| Authors: | ZENG Guang-Gen LI Bing ZHENG Jia-Gui CAI Ya-Ping ZHANG Jing-Quan WU Li-Li LI Wei FENG Liang-Huan |
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| Institution: | College of Materials Science and Engineering, Sichuan University;College of Materials Science and Engineering, Sichuan University;College of Materials Science and Engineering, Sichuan University;College of Materials Science and Engineering, Sichuan University;College of Materials Science and Engineering, Sichuan University;College of Materials Science and Engineering, Sichuan University;College of Materials Science and Engineering, Sichuan University;College of Materials Science and Engineering, Sichuan University |
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