| Ge,Si的形变势及其应变层异质结的带阶 |
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| 引用本文： | 李书平,王仁智.Ge,Si的形变势及其应变层异质结的带阶[J].厦门大学学报(自然科学版),1998,37(3):351-356. |
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| 作者姓名： | 李书平 王仁智 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理学系 |
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| 基金项目： | 国家和福建省自然科学基金,国家教委博士点基金 |
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| 摘 要： | 采用从头赝势能带计算方法研究了（００１）界面应变对Ｇｅ、Ｓｉ能带结构、平均键能和带阶参数的影响．计算了相应的形变势，并利用形变势的研究结果，采用平均键能方法计算了Ｇｅ／Ｓｉ应变层异质结在不同生长厚度ｈ（或平行晶格常数ａ∥）情况下的价带带阶和导带带阶．
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| 关 键 词： | 异质结，平均键能方法，带偏移，形变势 |
Deformation Potentials and Band Offset of Ge, Si Strained layer Heterojunction |
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| Li Shuping,Wang Renzhi,Zheng Yongmei,Cai Shuhui.Deformation Potentials and Band Offset of Ge, Si Strained layer Heterojunction[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),1998,37(3):351-356. |
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| Authors: | Li Shuping Wang Renzhi Zheng Yongmei Cai Shuhui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Heterojunction Average bond energy theory Band offset Deformation potential |
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