| 二维电子气深度对一维电子通道中声电电流的影响 |
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| 引用本文： | 盛钢,高宏雷,李玲,高洁. 二维电子气深度对一维电子通道中声电电流的影响[J]. 四川大学学报(自然科学版), 2004, 41(3): 603-607 |
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| 作者姓名： | 盛钢 高宏雷 李玲 高洁 |
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| 作者单位： | 四川大学物理科学与技术学院,成都,610064;四川大学物理科学与技术学院,成都,610064;四川大学物理科学与技术学院,成都,610064;四川大学物理科学与技术学院,成都,610064 |
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| 基金项目： | 科技部重大基础研究前期研究专项项目基金(2002CCA02660)，教育部科学技术研究重点项目基金 |
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| 摘 要： | 表面声波(SAW)在GaAs／AlxGa1-x As量子阱表面沿一维电子通道方向传播时，可诱导产生声电电流，由于GaAs／AlxGa1-x As材料的压电效应，伴随SAW要产生一个压电运动电势，该压电势与异质结中二维电子气(2DEG)的深度有关，作者采用准经典(WKB)近似，研究了2DEG的深度对一维电子通道中声电电流量子化特性的影响。
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| 关 键 词： | 声电电流 二维电子气 分裂门 |
| 文章编号： | 0490-6756(2004)03-0603-05 |
The Effect on the Acoustoelectric Current in One-Dimensional Channel by the Depth of the Two-Dimentional Electron Gas in the Heterostructure |
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| SHENG Gang,GAO Hong-lei,LI Ling,GAO Jie. The Effect on the Acoustoelectric Current in One-Dimensional Channel by the Depth of the Two-Dimentional Electron Gas in the Heterostructure[J]. Journal of Sichuan University (Natural Science Edition), 2004, 41(3): 603-607 |
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| Authors: | SHENG Gang GAO Hong-lei LI Ling GAO Jie |
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| Abstract: | An acoustoelectric current is induced by a surface acoustic wave (SAW) launched along the one-dimensional electron channel defined in a GaAs/AlxGa1-xAs heterostructure. The piezoelectric potential accompanying a SAW is related to the depth of the two-dimentional electron gas(2DEG) in the heterostructure.Using the WKB approximation, the authors discussed the effect on acoustoelectric current caused by the depth of the two-dimentional electron gas in the heterostructure. |
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| Keywords: | acoustoelectric current 2DEG split gate |
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