| 沉积位置对化学气相沉积SiC涂层微观组织的影响 |
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| 引用本文： | 付前刚,李贺军,史小红,李克智,黄剑锋.沉积位置对化学气相沉积SiC涂层微观组织的影响[J].西安交通大学学报,2005,39(1):49-52. |
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| 作者姓名： | 付前刚 李贺军 史小红 李克智 黄剑锋 |
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| 作者单位： | 西北工业大学碳/碳复合材料工程技术研究中心,710072,西安 |
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| 基金项目： | 国家杰出青年基金资助项目 (50 2 2 52 1 0 )，航空科学基金资助项目 (0 3H53 0 44)，教育部高等学校博士学科点专项科研基金资助项目 (2 0 0 3 0 6990 1 1 ) |
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| 摘 要： | 利用化学气相沉积法在C／C复合材料表面制备了SiC涂层，并借助扫描电子显微镜和X射线衍射等手段对不同位置沉积产物的微观形貌、相组成以及厚度进行了测试，推导出了沉积位置与反应气源过饱和度的定性关系，分析了反应气源过饱和度对SiC涂层形貌、晶粒尺寸以及涂层厚度的影响．研究结果表明：沿着沉积炉内气体流动的方向，反应气源的过饱和度逐渐降低，沉积所得pSiC涂层形貌由颗粒状向须状转变，晶粒尺寸与涂层厚度逐渐减小。
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| 关 键 词： | 沉积位置 化学气相沉积 SiC涂层 微观组织 |
| 文章编号： | 0253-987X(2005)01-0049-04 |
| 修稿时间： | 2004年6月7日 |
Effect of Depositing Position on Microstructure of SiC Coating by Chemical Vapor Deposition |
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| Fu Qiangang,Li Hejun,Shi Xiaohong,Li Kezhi,Huang Jianfeng.Effect of Depositing Position on Microstructure of SiC Coating by Chemical Vapor Deposition[J].Journal of Xi'an Jiaotong University,2005,39(1):49-52. |
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| Authors: | Fu Qiangang Li Hejun Shi Xiaohong Li Kezhi Huang Jianfeng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | depositing position chemical vapor deposition SiC coating microstructure |
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