| 基片负偏压对PEMSIP法TiN涂层的影响 |
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| 引用本文： | 王玉魁,张兴龙.基片负偏压对PEMSIP法TiN涂层的影响[J].大连理工大学学报,1995,35(3):339-343. |
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| 作者姓名： | 王玉魁 张兴龙 |
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| 作者单位： | 大连理工大学材料工程系 |
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| 基金项目： | 三束材料改性国家重点实验室资助项目 |
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| 摘 要： | 应用Ｘ射线衍射分析研究了基片负偏压对ＰＥＭＳＩＰ法ＴｉＮ涂层相组成的影响；结果表明，随着基片负偏压增加，膜层相组成朝着富氮相及其含量增加的方向发展，进而影响膜层的硬度。通过微区化学成分分析（ＥＤＳ）研究了膜基界面附近的成分分布。结果表明，界面处有过渡层；偏压愈高，过渡层愈显著。
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| 关 键 词： | 等离子体 氮化钛 磁控溅射 涂层 离子镀 |
Influence of substrate negative bias on TiN coatings deposited by plasma enhanced magnetron sputter ion plating |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | plasma modification titanium nitride/magnetron sputtering transition layer |
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