| 用白光快速烧结制作离子注入层欧姆接触 |
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| 引用本文： | 李晓明 姬成周. 用白光快速烧结制作离子注入层欧姆接触[J]. 北京师范大学学报(自然科学版), 1992, 28(4): 458-460 |
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| 作者姓名： | 李晓明 姬成周 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所 100875 北京新外大街，100875 北京新外大街，100875 北京新外大街，100875 北京新外大街，100875 北京新外大街 |
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| 摘 要： | 研究了用白光快速烧结法制作的n型高浓度离子注入层欧姆接触的特性.选用硅和硫离子,获10~(18)cm~(-3)以上的高浓度.白光快速烧结温度为400～460℃.实测的比接触电阻的最好值达到10~(-6)·Ω·cm~2.该法已用于全离子注入平面型场效应晶体管和GaAs/GaAlAs异质结HOT晶体管,性能良好.
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| 关 键 词： | 离子注入 欧姆接触 快速退火 |
RAPID THERMAL SINTERING TO FORM OHMIC CONTACTS ON ION IMPLANTED GaAs WAFERS |
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| Li Xiaoming Ji Chengzhou Han Dejun Wei Dongping Li Guohui. RAPID THERMAL SINTERING TO FORM OHMIC CONTACTS ON ION IMPLANTED GaAs WAFERS[J]. Journal of Beijing Normal University(Natural Science), 1992, 28(4): 458-460 |
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| Authors: | Li Xiaoming Ji Chengzhou Han Dejun Wei Dongping Li Guohui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ion implantation ohmic contact rapid thermal annoaling |
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