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| 硅衬底上多层Ge/ZnO纳米晶薄膜的制备及光学特性 | |
| 引用本文： | 潘书万,庄琼云,郑力新.硅衬底上多层Ge/ZnO纳米晶薄膜的制备及光学特性[J].华侨大学学报(自然科学版),2018(5). |
| 作者姓名： | 潘书万 庄琼云 郑力新 |
| 作者单位： | 华侨大学工学院;黎明职业大学信息与电子工程学院 |
| 摘 要： | 采用射频磁控溅射技术和快速热退火方法在Si(100)衬底上制备多层Ge/ZnO纳米晶薄膜.Ge纳米晶的大小随着退火温度的增加,从2.9nm增加到5.3nm.光致发光谱测试发现两个发光峰,分别位于1.48,1.60eV左右.研究发现:位于1.48eV处的发光峰来源于ZnO相关的氧空位或富锌结构的缺陷发光,位于1.60eV处的发光峰随着退火温度的增大向短波长移动,该发光峰应该来源于GeO发光中心. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |