Si平面型大功率晶体管的BV_(EBO)问题——提高产品率的调查研究报告 |
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作者姓名: | 全春平 江炎兴 |
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作者单位: | 中山大学物理系半导体物理专业 学员(全春平),中山大学物理系半导体物理专业 学员(江炎兴) |
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摘 要: | 在硅低频大功率晶体管生产中,往往由于发射结击穿电压BV_(EBO)不合格而成为降低成品率的主要问题。影响这个参数的原因可以是多种多样的。我们对工厂某高反压低大晶体管的生产进行了调查统计,作了一些实验和小批试生产,初步了解影响BV_(EBO)的一些具体原因,改进后对成品率有一定的提高。
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