首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

Si平面型大功率晶体管的BV_(EBO)问题——提高产品率的调查研究报告
作者姓名:全春平  江炎兴
作者单位:中山大学物理系半导体物理专业 学员(全春平),中山大学物理系半导体物理专业 学员(江炎兴)
摘    要:在硅低频大功率晶体管生产中,往往由于发射结击穿电压BV_(EBO)不合格而成为降低成品率的主要问题。影响这个参数的原因可以是多种多样的。我们对工厂某高反压低大晶体管的生产进行了调查统计,作了一些实验和小批试生产,初步了解影响BV_(EBO)的一些具体原因,改进后对成品率有一定的提高。

本文献已被 CNKI 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号