| 基区重掺杂对InGaAs/InAlAs突变HBT电流输运的影响 |
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| 引用本文： | 吴利锋,唐吉玉,文于华,汤莉莉,刘超.基区重掺杂对InGaAs/InAlAs突变HBT电流输运的影响[J].华南师范大学学报(自然科学版),2009,1(1):49-51. |
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| 作者姓名： | 吴利锋 唐吉玉 文于华 汤莉莉 刘超 |
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| 作者单位： | 1.华南师范大学物理与电信工程学院微电子学与固体电子学 |
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| 摘 要： | 摘要:基区重掺杂产生禁带变窄效应（BGN），从而导致HBT突变异质结界面的势垒高度发生改变，这会严重影响载流子的电流输运.本文基于Jain-Roulston禁带收缩模型及电流输运机理，对电子的传输进行了深入的分析，并与实验数据进行了比较，结果表明:在基区重掺杂的条件下，考虑BGN对电流输运的影响，对于准确描述电流的输运现象是非常有必要的.
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| 关 键 词： | 重掺杂 禁带变窄 Jain-Roulston模型 |
| 收稿时间： | 2007-12-03 |
THE ANALYSIS OF CURRENT TRANSPORT ON BASE IN ABRUPT InAlAs/InGaAs HBT BY HEAVY IMPURITY DOPING |
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| WU Li-feng,TANG Ji-yu,WEN Yu-hua,TANG Li-li,LIU Chao.THE ANALYSIS OF CURRENT TRANSPORT ON BASE IN ABRUPT InAlAs/InGaAs HBT BY HEAVY IMPURITY DOPING[J].Journal of South China Normal University(Natural Science Edition),2009,1(1):49-51. |
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| Authors: | WU Li-feng TANG Ji-yu WEN Yu-hua TANG Li-li LIU Chao |
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| Institution: | School of Physics and Telecommunication Engineering;South China Normal University;Guangzhou 510631;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | symmetrical and heavy impurity doping bandgap narrowing Jain-Roulston model |
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