Lp─MOCVD生长InAlAs量子阱结构材料 |
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引用本文: | 崔敬忠,甘润今,陈光华,张仿清,杨树人,刘宝林,陈伯军,刘式墉.Lp─MOCVD生长InAlAs量子阱结构材料[J].兰州大学学报(自然科学版),1995(1). |
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作者姓名: | 崔敬忠 甘润今 陈光华 张仿清 杨树人 刘宝林 陈伯军 刘式墉 |
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作者单位: | 兰州大学物理学系,国家集成光电子学联合实验室,吉林大学实验区 |
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基金项目: | 国家集成光电子学联合实验室资助 |
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摘 要: | Lp─MOCVD生长InAlAs量子阱结构材料崔敬忠,甘润今,陈光华,张仿清(兰州大学物理学系,兰州730000)杨树人,刘宝林,陈伯军,刘式墉(国家集成光电子学联合实验室,吉林大学实验区,长春130023)与InP匹配的In0.52Al0.48As...
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