| SiC/Al电子封装材料的制备工艺研究 |
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| 引用本文： | 王涛,王志华. SiC/Al电子封装材料的制备工艺研究[J]. 西安科技大学学报, 2006, 26(2): 224-226 |
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| 作者姓名： | 王涛 王志华 |
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| 作者单位： | 西安科技大学材料科学与工程系,陕西西安710054 |
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| 摘 要： | 对用无压浸渗法制备高体积分数的SiC／Al复合材料的浸渗过程进行了分析。结果表明：温度在900～1100℃之间变化时，随着温度的升高浸渗深度增加；充分的浸渗时间可提高界面的润湿性，促使铝合金液顺利浸渗；Mg量为10%时浸渗能顺利进行；N2作为保护气氛，不但可以防止氧化，而且可以促进铝合金液对SiC颗粒的浸渗。
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| 关 键 词： | SiC/Al复合材料 无压浸渗 制备工艺 |
| 文章编号： | 1672-9315(2006)02-0224-03 |
| 修稿时间： | 2005-04-27 |
Preparation technique of SiC/Al composite |
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| WANG Tao,WANG Zhi-hua. Preparation technique of SiC/Al composite[J]. JOurnal of XI’an University of Science and Technology, 2006, 26(2): 224-226 |
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| Authors: | WANG Tao WANG Zhi-hua |
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| Abstract: | An approach to pressure-free metal infiltration technology for fabricating SiC/Al composite is fund.The results indicate that parameters such as infiltration temperature and time,and the content of Mg and N2 have much effect on the fabrication process and properties of SiC/Al composite. |
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| Keywords: | SiC/Al composite pressure-free infiltration fabrication technology |
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