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| 射频功率对MgO掺杂镓锌氧化物薄膜性能的影响（英文） | |
| 作者单位： | ;1.中南民族大学实验教学与实验室管理中心;2.中南民族大学电子信息工程学院 |
| 摘 要： | 采用磁控溅射技术制备了MgO掺杂镓锌氧化物薄膜样品,通过X射线衍射(XRD)、电阻率、载流子浓度和Hall迁移率测试分析,研究了射频功率对薄膜样品微观结构和电学特性的影响.实验结果表明,所有样品均为六角纤锌矿结构并具有明显的c轴择优取向生长特点,其微观结构和电学特性与射频功率密切相关.当射频功率为125 W时,所制备薄膜的晶粒尺寸最大为52.1 nm、张应力最小为0.082 GPa、电阻率最低为1.54×10~(-3)Ω·cm、载流子浓度最大为5.26×10~(20)cm~(-3)、Hall迁移率最高为7.41 cm~2·V~(-1)·s~(-1),具有最优的结晶性质和电学性能. |
| 关 键 词： | 镓锌氧化物 掺杂 电学性能 |
Effect of radio-frequency power on the characteristics of MgO doped gallium-zinc oxide thin films |
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