|
|||||
|
|
| 一种超低功耗的低电压全金属氧化物半导体基准电压源 | |
| 作者单位： | ;1.西安交通大学微电子学院 |
| 摘 要： | 针对传统带隙基准电源电压高、功耗高和面积大的问题,提出了一种超低功耗的低电压全金属氧化物半导体(MOS)基准电压源。该基准源通过电压钳制使MOS管工作在深亚阈值区,利用亚阈值区MOS管的阈值电压差补偿热电势的温度特性,同时采用负反馈提高了电压源的线性度与电源抑制比。整个电压源电路采用SMIC 0.18μm互补金属氧化物半导体工艺设计,仿真结果表明:基准电压源的电源电压范围可达0.5~3.3V,线性调整率为0.428%V-1,功耗最低仅为0.41nW;在1.8V电源电压、-40~125℃温度范围内,温度系数为4.53×10-6℃-1,输出电压为230mV;1kHz下电源抑制比为-60dB,芯片版图面积为625μm2。该基准电压源可满足植入式医疗、可穿戴设备和物联网等系统对芯片的低压低功耗要求。 |
| 关 键 词： | 基准电压源 超低功耗 低电压 全金属氧化物半导体 亚阈值 |
A Low-Voltage All-Metal Oxide Semiconductor Voltage Reference with Ultra-Low Power |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |