500kV SF_6电流互感器电容屏缺陷下的气体分解特性

为了研究SF_6电流互感器(CT)内存在电容屏缺陷时的气体放电分解特性,分别在实验室内的模拟平台和500kV实体CT内开展了试验研究。在实验室模拟罐体内建立了场强方向平行于电容屏表面的缺陷模型1#和垂直于其表面的缺陷模型2#,在保持相同放电量的条件下对两种模型进行了SF_6气体放电分解试验,结果显示:两种电容屏缺陷下的典型气体分解产物包括CF4、SO_2F2、CS2、SO_2和S2OF105种;在相同时间下,3种含硫氧化物的体积分数从大到小依次为φ(SO_2)、φ(S2OF10)、φ(SO_2F2),产物浓度随加压时间均呈现近线性增长趋势;CF4和CS2是涉及绝缘材料放电特有的分解产物,前者浓度远高于后者;对绝缘材料进行XPS元素能谱分析,得出C元素来源于绝缘材料;此外,放电量相近时模型2#下的分解产物浓度低于模型1#。最后,在500kV SF_6式实体CT内设置了电容屏沿面及屏间短路复合缺陷,结果表明,实体缺陷下的分解产物种类和变化趋势与同类型的实验室模拟缺陷结果一致。在实验室内模拟缺陷进行气体分解特性的研究对实际应用具有指导意义。

Gas Decomposition Characteristics under Capacitive Screen Defect in SF_6 Current Transformer