| 氧退火对Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜电荷存储特性的影响 |
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| 引用本文： | 陈平,黄美浅,李斌,李观启.氧退火对Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜电荷存储特性的影响[J].华南理工大学学报(自然科学版),2004(8). |
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| 作者姓名： | 陈平 黄美浅 李斌 李观启 |
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| 作者单位： | 华南理工大学应用物理系 广东广州510640
(陈平，黄美浅，李斌)，华南理工大学应用物理系 广东广州510640(李观启) |
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| 基金项目： | 教育部留学回国人员科研启动基金资助项目，华南理工大学自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺 ,在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡 (Ba1-xSrxTiO3)薄膜 ,再在氧气氛中进行不同条件的退火处理 ,然后蒸铝并利用光刻技术制作铝电极 ,从而形成金属 -绝缘体 -氧化物 -半导体 (MIOS)双介质电容器结构 .通过该薄膜电容器的充放电实验 ,研究薄膜的电荷存储特性 .结果表明 ,该薄膜在不超过 80 0 ℃下退火 ,其电荷存储能力主要与氧组分有关 ;氧空位越多 ,电荷存储能力越强 .
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| 关 键 词： | BaxSr1-xTiO3薄膜 电荷存储特性 MIOS结构 退火 氧空位 陷阱 |
Influence of Oxygen Annealing on the Charge Storage Character of Ba_(1-x) Sr_xTiO_3 Thin Film |
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| Chen Ping,Huang Mei-qian,Li Bin,Li Guan-qi.Influence of Oxygen Annealing on the Charge Storage Character of Ba_(1-x) Sr_xTiO_3 Thin Film[J].Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition),2004(8). |
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| Authors: | Chen Ping Huang Mei-qian Li Bin Li Guan-qi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ba 1-xSr xTiO 3 thin film charge storage ability MIOS structure annealing oxygen vacancy trap |
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