| 利用托马斯—费米方程对晶体平面沟道场的研究 |
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| 引用本文： | 刘英太.利用托马斯—费米方程对晶体平面沟道场的研究[J].北京大学学报(自然科学版),2003,39(1):68-72. |
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| 作者姓名： | 刘英太 |
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| 作者单位： | 北京大学物理学院 北京，100871 |
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| 摘 要： | 根据同一晶向的晶面具有平移周期对称性，将托马斯－费米方程引入晶体的平面沟道中求解Si(110）平面沟道内的电场；然后把求得的结果用于计算平面沟道临界角。结果表明：用托马斯－费米方程求得的平面沟道场能较好地描述Si（110）平面沟道内的电场特征。
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| 关 键 词： | 托马斯－费米方程 晶体 平面沟道场 原子实 临界角 沟道效应 电场 |
Study for the Electric Field in Crystal Planar Channeling with Thomas-Fermi Methods |
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| LIU,Yingtai.Study for the Electric Field in Crystal Planar Channeling with Thomas-Fermi Methods[J].Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis,2003,39(1):68-72. |
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| Authors: | LIU Yingtai |
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| Abstract: | According to the transnational periodically symmetry of crystal plane in its space,the author introduce the Thomas-Fermi equation in crystal planar channeling electric fields;then calculate the electric fields of single crystal Si(110)and its critical angle.The good fits with the experimental data are obtained.The results show that the Thomas-Fermi equation in crystal planar channeling may describe the characters of planar channeling. |
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| Keywords: | planar channeling atomic kernel critical angle |
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