| 应变致价带分裂对p型Si_（1－x）Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的影响 |
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| 引用本文： | 吴文刚,罗晋生.应变致价带分裂对p型Si_（1－x）Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的影响[J].西安交通大学学报,1995(10). |
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| 作者姓名： | 吴文刚 罗晋生 |
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| 摘 要： | 针对应变Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ的应变致价带分裂及重掺杂对裂值的影响，提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型和有关算法，模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型，计算了赝形生长在＜１００＞Ｓｉ衬底上的ｐ型Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ应变层的重掺杂禁带窄变，发现当杂质浓度超过约２×１０１９ｃｍ（－３）后它在某一Ｇｅ组分下得到极大值，而当掺杂低于此浓度时它则随Ｇｅ组分的增加单调下降，与实验报道的对比证实了本模型的有效性。
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| 关 键 词： | 锗硅合金，应变，重掺杂，能带结构 |
EFFECTS OF STRAIN INDUCED SPLITTING OF VALENCE BAND ON THE BANDGAP NAROWING DUE TO HEAVY DOPING IN p-TYPE STRAINED SI(1-X) Gex LAYERS |
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| Wu Wengang,Luo Jinsheng.EFFECTS OF STRAIN INDUCED SPLITTING OF VALENCE BAND ON THE BANDGAP NAROWING DUE TO HEAVY DOPING IN p-TYPE STRAINED SI(1-X) Gex LAYERS[J].Journal of Xi'an Jiaotong University,1995(10). |
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| Authors: | Wu Wengang Luo Jinsheng |
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| Institution: | School of Electronics and Information Engineering |
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| Keywords: | SiGe alloy strain heavy doping band structure |
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