| 量子点层厚度对量子点发光二极管发光特性的影响简 |
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| 引用本文： | 李芝,陈静,雷威. 量子点层厚度对量子点发光二极管发光特性的影响简[J]. 中国科技论文在线, 2014, 0(1): 1-3 |
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| 作者姓名： | 李芝 陈静 雷威 |
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| 作者单位： | 东南大学电子科学与工程学院,南京210096 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划（973计划）资助项目（2013CB328803,2010CB327705）;国家自然科学基金资助项目（5087202260801002,60971017,51202028,51120125001）;高等学校博士学科点专项科研基金资助项目（20120092120025） |
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| 摘 要： | 采用湿法旋涂技术制备量子点发光二极管器件（QD-LEDs）。PEDOT作为空穴注入层，TFB作为空穴传输层，量子点作为发光层，采用无机二氧化钛（TiO2）作为电子传输层，在相同的工艺条件下调节量子点层旋涂转速（800～1100 r/min），制备不同厚度的量子点发光二极管发光器件（QD-LEDs）。实验结果表明，当量子点层的旋涂转速为900 r/min时，此时的量子点层厚度为30 nm，所制备的量子点发光二极管器件（QD-LEDs）的发光性能最好，开启电压最低，只有5．5 V。
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| 关 键 词： | 量子点发光二极管 量子点层厚度 发光特性 |
Effect of quantum dot layer thickness on the luminescence properties of quantum dot light emitting diode |
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| Li Zhi,Chen Jing,Lei Wei. Effect of quantum dot layer thickness on the luminescence properties of quantum dot light emitting diode[J]. Sciencepaper Online, 2014, 0(1): 1-3 |
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| Authors: | Li Zhi Chen Jing Lei Wei |
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| Affiliation: | (Department of Electronic Science and Engineering, Southeast University, Nanj ing 210096, China) |
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| Abstract: | Quantum dot light emitting diode devices （QD-LEDs）havebeen developedwith wet spin coating technique.In the QDLEDs,PEDOT is used as hole injection layer,TFB as electron transport layer,quantum dots as emissive layer,and inorganic titanium dioxide （TiO2 ）as a hole transport layer.In the same processing conditions,thequantum dot layer spin speed wasadjusted-from 800 to 1 100 r/min,and quantum dot light emitting diode devices （QD-LEDs）prepared with different thicknesses.Experi-ment results show that,when the spin-coating speed of quantum dot layer is 900 r/min and quantum dot layer thickness is 30 nm,the QD-LED performance is best with a lowturn-on voltage of 5.5V. |
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| Keywords: | quantum dot light emitting diodes （QD-LEDs） quantum dot layer thickness luminescence properties |
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