| 场板结构对AlGaN/GaN HFET电场分布的影响 |
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| 引用本文： | 王硕,张炜,姚尧,张金城,刘扬.场板结构对AlGaN/GaN HFET电场分布的影响[J].中国科技论文在线,2014(7):739-741. |
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| 作者姓名： | 王硕 张炜 姚尧 张金城 刘扬 |
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| 作者单位： | 中山大学物理科学与工程技术学院,广州510275 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（51177175,61274039）;国家重点基础研究发展计划（973计划）资助项目（2010CB923200,2011CB301903）;高等学校博士学科点专项科研基金资助项目（20110171110021）;国家国际科技合作专项项目（2012DFG52260）;国家高技术研究发展计划（863计划）资助项目（2011AA03A101） |
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| 摘 要： | 场板结构可以有效抑制横向型HFET器件栅极边缘的电场集边效应,降低尖峰电场峰值,从而大幅提高器件的耐压特性。利用Sentaurus TCAD工具,构建具有场板结构的HFET器件,研究了场板长度和钝化层的厚度对器件沟道电场分布的影响,归纳出场板结构设计的基本规律和一般方法。
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| 关 键 词： | 氮化镓 场板结构 击穿电压 |
The impact of field plate on electric field distribution of AlGaN/GaN HFET |
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| Wang Shuo,Zhang Wei,Yao Yao,Zhang Jincheng,Liu Yang.The impact of field plate on electric field distribution of AlGaN/GaN HFET[J].Sciencepaper Online,2014(7):739-741. |
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| Authors: | Wang Shuo Zhang Wei Yao Yao Zhang Jincheng Liu Yang |
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| Institution: | (School of Physics and Engineering, Sun Yat Sen University ,Guangzhou 510275, China) |
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| Abstract: | The field plate structure could be applied to improve AlGaN/GaN HFET characteristics of withstand voltage,reduce its peak electric field,and solve the crowding effect of the gate,so as to improve the blocking voltage of the device.The HFET de-vices with field plate structure are built on the Sentaurus TCAD simulator.The influence of the field plate parameters on the elec-tric field distribution is studied to summarize the general principle and method of field plate structure designment. |
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| Keywords: | gallium nitride field plate breakdown voltage |
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