γ射线辐照对BJT硅器件参数的影响

研究了３种不同类型的ＢＪＴ硅晶体器件，经γ射线辐照，理化处理后，其反向截止电流，反向击穿电压，饱和压降，静态电流放大系数等电学参数的变化规律。