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| γ射线辐照对BJT硅器件参数的影响 | |
| 引用本文： | 唐多权,马立国.γ射线辐照对BJT硅器件参数的影响[J].扬州大学学报(自然科学版),1998,1(4):21-23. |
| 作者姓名： | 唐多权 马立国 |
| 摘 要： | 研究了３种不同类型的ＢＪＴ硅晶体器件，经γ射线辐照，理化处理后，其反向截止电流，反向击穿电压，饱和压降，静态电流放大系数等电学参数的变化规律。 |
| 关 键 词： | 硅晶体管 n－p－n结构 γ射线辐照 BJT器件 |
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