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金刚石薄膜电容的欧姆接触
引用本文:宁延一,曲长庆,赵影,白明,杨保和,常明.金刚石薄膜电容的欧姆接触[J].天津理工大学学报,2001,17(2):9-14.
作者姓名:宁延一  曲长庆  赵影  白明  杨保和  常明
作者单位:天津理工学院光电信息与电子工程系,
基金项目:国家863和天津自然科学基金重点项目(003800211)
摘    要:用本征金刚石薄膜制备的电容具有高储能,高击穿电压,耐高温,基本电阻可调节以及良好的化学稳定性等特点.金属与金刚石薄膜形成欧姆接触是电极金属的选取是制备金刚石薄膜电容的重要一步.本文主要研究金刚石薄膜的欧姆接触及其I-V曲线.

关 键 词:金刚石薄膜电容  扫描电子显微镜  欧姆接触
文章编号:1004-2261(2001)02-09-06
修稿时间:2001年4月17日

Ohm-contact of diamond-film capacitances
NING Yan-yi,QU Chang qing,ZHAO Ying,BAI Ming,YANG Bao he,CHANG Ming.Ohm-contact of diamond-film capacitances[J].Journal of Tianjin University of Technology,2001,17(2):9-14.
Authors:NING Yan-yi  QU Chang qing  ZHAO Ying  BAI Ming  YANG Bao he  CHANG Ming
Abstract:Capacitances prepared with intrinsic diamond films have the characteristics of high energy storage ratio, high breakdown voltage,high temperature resistance,basic resistance adjustable and favorable chemistry stability,etc.One of the important step of preparing diamond film capacitances is that the metal and diamond film form ohm contact while selecting the metal electrodes.In this paper we mostly study on diamond film' s ohm contact and its I V curve.
Keywords:diamond  film capacitances  SEM  ohm  contact
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