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| 半导体超晶格与量子微结构研究30年 | |
| 引用本文： | 彭英才.半导体超晶格与量子微结构研究30年[J].自然杂志,1998,20(5):263-267. |
| 作者姓名： | 彭英才 |
| 作者单位： | 河北大学电子与信息工程系 |
| 摘 要： | 半导体超晶格与量子阱系指对电子具有一维量子限制作用的多层超薄异质结人工材料,量子微结构泛指对电子具有二维和三维量子约束性质的量子线与量子点介观系统.这类低维体系的研究是近30年来半导体科学技术中,尤其是半导体物理学领域内一个发展最迅速的活跃前沿.它的研究兴起,不仅对信息科学技术,而且对低维物理、材料科学以及纳米技术的发展,正在产生着革命牲的影响.本文着重回顾与评述了30年来半导体超晶格与量子微结构在材料生长工艺、体系维度变化、物理效应产生以及新型器件应用等方面所取得的一系列重大进展,并对其在21世纪的发展作了初步展望. |
| 关 键 词： | 半导体超晶格 量子微结构 历史沿革 发展潜力 |
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