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玻璃中CdSeS量子点的PLE谱研究
引用本文:刘炳灿,吴正龙,田强.玻璃中CdSeS量子点的PLE谱研究[J].北京师范大学学报(自然科学版),2003,39(5):636-639.
作者姓名:刘炳灿  吴正龙  田强
作者单位:1. 北京师范大学物理学系,100875,北京;装甲兵工程学院物理学系,100072,北京
2. 北京师范大学分析测试中心,100875,北京
3. 北京师范大学物理学系,100875,北京
基金项目:教育部高校骨干教师资助计划;;
摘    要:用光致发光激发光(PLE)谱与光吸收谱和光致发光(PL)谱相结合,对半导体CdSeS量子点的电子能级和电子跃迁发光的弛豫过程进行了深入分析.PLE谱表明带边激子发光的主要来源是1S3/2-1se和2S3/2-lse能态的电子弛豫,而缺陷态发光的来源除了1S3/2-lse和2S3/2-lse能态的电子弛豫外,还有更高能态的电子弛豫.

关 键 词:玻璃  CdSeS  PLE谱  半导体量子点  光致发光激发光谱  光致发光谱  光吸收谱  纳米材料
修稿时间:2003年3月11日

THE PHOTOLUMINESCENCE EXCITATION SPECTRA OF CdSeS QUANTUM DOTS
Liu Bingcan , Wu Zhenglong Tian Qiang.THE PHOTOLUMINESCENCE EXCITATION SPECTRA OF CdSeS QUANTUM DOTS[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),2003,39(5):636-639.
Authors:Liu Bingcan  Wu Zhenglong Tian Qiang
Institution:Liu Bingcan 1,2) Wu Zhenglong 3) Tian Qiang 1)
Abstract:By using both absorption and PL spectra, the electron energy of quantum dots and its relaxation process of electronic transition luminescence are analyzed in detail. PLE spectrum indicates that the relation of the transition 2S 3/2 1s e is the main cause of the band excitonic luminescence, and the relation of 1S 3/2 1s e , 2S 3/2 1s e and a higher energy state is the main cause of the defect state.
Keywords:semiconductor quantum dots  PLE spectrum  PL spectrum  absorption spectrum  CdSeS
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