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| VDMOSFET结构设计 | |
| 引用本文： | 刘刚,刘三清,秦祖新,应建华.VDMOSFET结构设计[J].华中科技大学学报(自然科学版),1991(5). |
| 作者姓名： | 刘刚 刘三清 秦祖新 应建华 |
| 作者单位： | 华中理工大学固体电子学系 (刘刚，刘三清，秦祖新)，华中理工大学固体电子学系(应建华) |
| 摘 要： | 本文论述了具有垂直沟道、多单元结构的高电压、大电流功率MOS场效应晶体管(VDMOSFET)的设计理论及方法.并从四个方面阐述了其结构特点,提供了具体设计参数及部分二维数值分析结果. |
| 关 键 词： | 垂直双扩散MOS场效应晶体管 击穿电压 导通电阻 场板 场限环 |
The Structure Design for VDMOSFET |
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| Liu Gang Liu Sanqing Qin Zuxin Yin Jianhua.The Structure Design for VDMOSFET[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,1991(5). | |
| Authors: | Liu Gang Liu Sanqing Qin Zuxin Yin Jianhua |
| Institution: | Liu Gang Liu Sanqing Qin Zuxin Yin Jianhua |
| Abstract: | |
| Keywords: | Vertical double diffused metal-oxide-semiconductor field effect transistor(VDMOSFET) Breakdown voltage On-state resistance Field plate Field limiting ring |
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