随机核磁场调制的双量子点电子输运

采用Lindblad型粒子数分辨的量子主方程,研究了双量子点系统在自旋阻塞区受核随机场调制的电子输运。在弱和强核随机场下,发现双量子点输运系统的Fano因子在整个外磁场调制范围内都大于1,系统呈现了超泊松噪声;在弱核随机场情况下,随外磁场大小的变化,平均Fano因子和平均偏斜度呈现局部极大值;而在强核随机场情况下,平均Fano因子和平均偏斜度随外磁场大小的变化而近单调变化。这些特征都可以基于噪声和三阶矩对外磁场大小的依赖性加以解释。对于确定随机场情况下的噪声和偏斜度,Fano因子和偏斜度则可以给出丰富的输运信息。此外,随着非弹隧穿率的增加,在强核随机场情况下,平均电流增加而Fano因子和偏斜度减小。